貼合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)要求開發(fā)設(shè)計(jì)，
功能覆蓋二極管、三極管、MOS管、IGBT單管等Si / SiC / GaN分立器件的間歇壽命試驗(yàn)IOL
和穩(wěn)態(tài)壽命試驗(yàn)CFOL；系統(tǒng)可直觀監(jiān)測IOL試驗(yàn)全過程中每個(gè)DUT的△Tj。
┃ 風(fēng)冷試驗(yàn)腔 | 16通道；室溫風(fēng)冷型 |
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┃ 容量 | 串聯(lián)模式：單板 80 工位同時(shí)檢測△Tj / 整機(jī)1280工位； 并聯(lián)模式：單板 48 工位同時(shí)檢測△Tj / 整機(jī) 768工位 |
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┃ 試驗(yàn)電源 | （0~60V/2400W）*16臺(tái) |
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┃ 驅(qū)動(dòng)檢測板 | 數(shù)量： 16塊 |
恒流源： 單板4路20A恒流源輸出，并聯(lián)可達(dá)60A，可用于IGBT單管; |
試驗(yàn)電壓檢測： 0.00V～99.9V；精度：±(1％ + 1LSB)； |
Id檢測范圍： 0.1A~20.0A(二極管/MOS/IGBT)；0mA~400mA(三極管/MOS) |
Vf檢測精度： ±1mV |
Im發(fā)生范圍： 0~99.9mA ; 精度：±(1％ + 1LSB) |
Tj結(jié)溫測試： 20℃～175℃；精度：±(1％ + 1LSB) |
研發(fā)&制造
售后支持
銷售服務(wù)
