適用100A~500A的IGBT/SiC模塊的老化測(cè)試篩選,可以模擬各種工況條件,
如啟動(dòng)電流、運(yùn)行電流、堵轉(zhuǎn)電流等,對(duì)DUT器件進(jìn)行動(dòng)態(tài)功率循環(huán)測(cè)試,
顯示各種工況下的電壓、電流、溫度等信息。
快速篩選出不合格的芯片和封裝工藝缺陷,提高產(chǎn)品的使用可靠性。
設(shè)備采用模塊化設(shè)計(jì),結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,使用和維護(hù)方便。